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採用90奈米製程 Intel首款相變化記憶體準備量產

上網時間: 2007年04月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:相變化記憶體  NOR快閃記憶體  Alverstone 

英特爾(Intel)準備推出128-Mbit相變化記憶體(phase-change memory)樣品,並計劃在今年下半年採用90奈米技術進行量產。這種稱為Alverstone的產品是英特爾的首款相變化記憶體產品,是與NOR相容的替代產品,目前該公司是僅次於Spansion的第二大NOR快閃記憶體製造商。

英特爾技術長Justin Rattner表示,該產品的寫入性能是目前NOR快閃記憶體的6倍,至少可寫入100萬次。作為替代DRAM和快閃記憶體的下一代記憶體產品,相變記憶體也有許多競爭對手,如FeRAM和MRAM。這種非揮發性記憶體技術是以硫屬化合物(chalcogenide)的導電性(electrically induced)相變化為基礎,非常難達到可靠的量產階段。

Rattner指出,英特爾的理想目標是讓128-Mbit相變化記憶體,成為NOR快閃記憶體的替代品。而該公司將持續最佳化相變化記憶體的量產製程。英特爾是去年夏天開始與意法半導體(ST)共同開發相變化記憶體,而儘管英特爾已經準備邁向量產,ST卻認為必須要升級至45奈米製程技術之後才能達成以上目標。

(參考原文:Intel to mass produce 128-Mbit phase-change memory)

(Mike Clendenin)




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