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ON Semiconductor推出新型NSSxxx系列BJT元件

上網時間: 2007年07月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:BJT  NSSxxx  電晶體 

安森美半導體(ON Semiconductor)推出採用先進矽技術的PNP與NPN元件,豐富了其業界領先的低Vce(sat)雙載子結電晶體(BJT)系列產品。這兩種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET相較,不僅實現了能效的最大化,而且還延長了電池的使用壽命。

最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式,適合多種可攜式應用。這些NSSxxx低Vce(sat)表面黏著元件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1A時,新元件可提供45mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。

這種低Vce(sat) BJT還提供超過8kV的較高的靜電放電(ESD)容差,因此能在突發浪湧情況下自我保護,避免受損。由於實現了出色的電氣性能及較低的溫度係數,因此這種元件可提高能效,在無需額外ESD保護電路就能實現更好的電池節能。相對於MOSFET而言,這種元件比較適中的開關速度降低了噪音諧波,因此更適於需要控制電磁干擾(EMI)的應用。

安森美半導體的低Vce(sat) BJT系列產品採用多種業界領先的封裝,包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。已開始供貨。




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