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Tower採用0.18微米製程生產太空用抗輻射SoC原型

上網時間: 2007年07月16日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:抗輻射SoC  太空應用  CMOS製程 

晶圓代工業者Tower Semiconductor和專精太空應用的無晶圓廠IC設計業者Ramon Chips宣佈完成太空應用的抗輻射系統級晶片(SoC)控制器原型。該控制器採用Tower的0.18微米CMOS製程技術製造。

該SoC控制器的時脈頻率為150MHz,晶片上的SpaceWire介面具有250Mbit/s的傳輸速率,能夠承受宇宙輻射和惡劣的環境條件,適用於環繞地球的衛星中的所有應用,以及高可靠性航空應用。該SoC控制器的設計和製造採用Ramon Chips的防輻射方法和標準單元庫(cell library),亦證明了Tower Semiconductor生產線具備生產抗輻射元件的能力。

根據Ramon Chips執行長Ran Ginosar今年在Israeli Nano-Satellite Association (INSA)的介紹,該控制器採用Gaisler Research的Leon-3 32-bit Sparc處理器,型號為GR702RC。第二代GR712RC採用兩個Leon-3處理器核心,具有更多的週邊設備和內建高速緩衝記憶體。

另一種採用同樣的RadSafe程式庫和Tower Semiconductor 0.18微米CMOS製程的原型已經通過測試。

(參考原文:Tower helps startup make rad-hard microcontroller)

(Peter Clarke)




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