Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

因應新一代半導體製程 SAFC 發表新產品藍圖

上網時間: 2007年07月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:半導體  MOCVD  ALD 

SAFC Sigma-Aldrich Group旗下SAFC的業務部門SAFC Hitech,日前公佈其新的化學品5年發展新路線圖的詳細內容。這份藍圖包含了矽半導體基材上的有機金屬化學氣相沉積(Metalorganic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法和原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)製程技術。

SAFC Hitech的這份新藍圖堅持了《國際半導體技術發展路線圖(International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)》的綱領,涉及眾多半導體層的廣泛的材料開發內容。開發的這些材料包括用於邏輯存儲設備的高介電常數材料、更多功能的記憶體架構、動態隨機記憶體(DRAM)或閘極堆疊、阻隔層、配線以及低介電常數材料。

SAFC Hitech研發部門負責人Peter Heys表示:「一直以來,金屬沉積前的介電質層使用的都是氧化矽和其他“傳統”材料。我們正在對該行業進行的探索就是要嘗試化學元素週期表中的更多元素,使用先前沒有嘗試過的元素來開發新材料。我們已經在生產過程中使用了氧化鋁、氧化鉿、矽酸鉿、氧化鋯和複合稀土氧化物等氧化物和二元氧化物。這些金屬氧化物的介電常數很高,如果該行業仍以符合摩爾定律的速度發展,那麼在接下來幾年中,這些金屬氧化物將繼續得到廣泛的開發使用。」

Heys並補充:「在該新發展路線圖的實施過程中,SAFC Hitech將推出用於矽半導體製造的更複雜的高介電常數氧化物,如基於鉿鋯的材料層,這種材料層的靈活性更佳,能摻入其他如矽、氮、鋁、鑭和釔等材料來滿足客戶的個性化需求,創造出滿足特殊裝置設計功能要求的材料層。以外,對稀土和鍶化學材料、二元金屬和複合金屬氧化物或氧化物的迭代等的研發將能幫助生產出未來技術節點所需的50以上介電常數的材料。」




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 因應新一代半導體製程 SAFC 發表新產...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首