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虹晶提供低功耗90奈米製程ARM926EJ-S硬核

上網時間: 2007年08月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ARM926EJ-S  ARM926EJ-S 

虹晶科技(Socle Technology)繼推出ARM926EJ-S硬核,於90奈米製程其時脈頻率高達533MHz後,再度最佳化ARM926EJ-S硬核90奈米製程,於低功率(Low Power)製程技術時可達時脈頻率266MHz,靜態功耗50mw,幫助客戶在選擇低耗電量方案時,兼具高速的享受。

新世代消費性產品市場迅速且蓬勃的發展,可攜式數位多媒體開發MP3、PMP,以及各種影音多媒體應用等SoC設計,低功率設計已成為這些主賴電池供電產品開發時不可或缺的規格需求,電池使用壽命是評估這類產品很重要的一個指標,這類產品成功的關鍵正是取決於該產品的重量、價格以及電池使用壽命。但目前電池的價格與重量成為降低系統價格與重量的瓶頸,只有採用低功率技術才是解決該問題的有效途徑。

此次虹晶科技將ARM926EJ於90奈米製程利用完整低功率設計技術,成功地達到時脈頻率高達266MHz而面積僅有1.28mm2,於待機狀態時功耗成功地縮減為50mw,客戶也可搭配上虹晶低功率設計之矽智財(IP)及系統單晶片(SOC Platform)解決方案,來提供完整的低功率產品設計。

低功率的概念對整個系統的影響不僅侷限於電池供電的可攜式設備,無論是從產品差異化、上市時程、IC成本與封裝,或是良率、可靠性、終端產品成本與尺寸,以及散熱方法等角度考量,低功率晶片對每一種系統的設計開發來說都是關鍵議題。




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