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Linear 1.1A低雜訊LDO具備高功率密度

上網時間: 2007年08月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:LDO  LT1965 

凌力爾特(Linear Technology)發表一款具備高功率密度的低雜訊、低壓1.1A LDO LT1965。LT1965於全負載時具備300mV的低dropout電壓,並擁有1.8V至20V的寬廣輸入電壓能力及1.2V至19.5V的低可調式輸出電壓。

40uVRMS的輸出雜訊能減少於儀器應用、RF、DSP和邏輯供應系統之雜訊,並有利於切換式調節器後端穩壓。輸出誤差可調控於輸出、負載及溫度範圍的±3%之內。此元件靜態電流為500uA (操作中),關機電流少於1uA。

LT1965穩壓器能以低ESR及小如10uF的陶瓷輸出電容達到穩定性及瞬變響應。這些極小的外部電容之運用,不需其他穩壓器常見的串聯電阻。內部保護電路亦包括了電池反接保護、無逆向電流、反折式限流及熱限制等。此IC具備寬廣的封裝選項,範圍涵蓋現代高功率密度、小接腳佔位、具備熱效益的DFN及MSOPE封裝,以至於較傳統的DD-Pak及TO-220封裝。

LT1965EDD採用低高度(0.75mm) 8接腳DFN (3mm×3mm)封裝、LT1965EMS8E為8接腳MSOP封裝、LT1965EQ採用表面黏著DD-Pak封裝,而LT1965ET則採用TO-220封裝。




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