Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

Hynix取得ISi之Z-RAM低成本嵌入式記憶體技術授權

上網時間: 2007年08月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Z-RAM  記憶體  DRAM 

Z-RAM高密度記憶體IP開發商Innovative Silicon (ISi)與海力士半導體(Hynix)共同宣佈,海力士將在其DRAM晶片中採用ISi的Z-RAM技術。採用Z-RAM的DRAM將使用一種單電晶體位元單元(bit cell),來替代多個電晶體和電容器的組合。

Z-RAM起先是以一種低成本嵌入式記憶體技術應用於邏輯晶片,如行動晶片組、微處理器、網路和其他消費應用。2005年12月AMD首次獲得該項技術授權,將這項技術應用於微處理器設計。此次與Hynix的合作,使Z-RAM成為超過300億美元的記憶體市場中成本最低的記憶體技術。

ISi的Z-RAM與目前標準DRAM和SRAM,因為其單電晶體(1T)位元單元結構是全球最小的儲存單元,這使其成為號稱全世界密度最高、成本最低的半導體儲存方案。透過採用絕緣層上覆矽(SOI)晶圓,Z-RAM的單電晶體記憶體位元單元可利用電路製造中發現的浮體效應(floating body effect,FBE)實現。

此外,因為Z-RAM是利用了SOI自然產生的效應,在記憶體位元單元內無須通過改變外在製程來建構電容器或其它複雜結構。

(參考原文: Hynix licenses floating-body technology for DRAM)

(Peter Clarke)




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Hynix取得ISi之Z-RAM低成本嵌入式記憶...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首