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功率技術/新能源  

IR授權Infineon採用其專利DirectFET封裝技術

上網時間: 2007年10月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DirectFET  授權  封裝技術 

國際整流器(International Rectifier,IR)與英飛凌科技(Infineon Technologies)共同宣佈,後者將獲授權使用IR已取得專利的DirectFET先進電源管理元件封裝技術

DirectFET功率封裝是首項於SO-8或更少的佔位面積,提供具效率上部散熱的表面粘著功率MOSFET封裝技術,專為電腦、筆記簿型電腦、電訊和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用而設計。

與標準塑膠分立封裝相較,DirectFET的金屬容器結構提供雙面散熱功能,號稱可把高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力,有效增加一倍。英飛凌將會把DirectFET功率封裝技術運用到旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3晶片技術上,並預計由2008年初開始提供採用DirectFET封裝的OptiMOS 2樣本。




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