IBM研發可整合7種RF前端功能的CMOS製程

最近發表了CMOS 7RF SOI半導體技術的IBM宣稱，可透過使用絕緣上覆矽(silicon-on-insulator)技術，將7個RF前端功能整合在一顆CMOS晶片上。

IBM表示將會供應手機用RF前端CMOS單晶片方案。該公司晶圓代工產品總監Ken Torino指出：「IBM的方案可讓插入耗損失(insertion loss)最小化，把絕緣性(isolation)最大化，以避免手機通話突然中斷，就算是最便宜的手機也可以。

手機中的RF前端功能現在都由5~7顆晶片來提供，其中至少有兩顆要使用昂貴的砷化鎵(GaAs)技術。IBM表示，其RF前端將不再需要GaAs，並能降低無線設備中的晶片數量，因而降低設備成本。IBM估計，在真正的單晶片方案實現之前，其技術能協助手機晶片供應商客戶把晶片數量減少到2或3套晶片組。

IBM表示，採用CMOS製程來生產SOI RF前端單晶片的一個主要障礙，是其內部天線輸入電壓(input)必須承受的電壓浪湧(voltage surges)。當使用者的尼龍外套和手機天線摩擦時，就會產生高達30V的電壓峰值，進而導致電壓浪湧；CMOS技術一般不能承受如此高的電壓。而IBM表示，該公司透過採用了一種能將任何浪湧分割到各層的電壓輸入，使每層的電壓相對較低，因而解決了電壓浪湧問題。

IBM半導體研發中心的類比和混合訊號技術開發資深經理Jim Dunn表示：「要將多模式多頻段RF開關、複雜開關偏置網路和功率控制器等所有元件整合在一個設備上，CMOS就是完美選擇。GaAs對於電壓浪湧的承受能力確實優於CMOS，但我們的分層結構可提供同樣的性能。」

IBM表示，將採用其180奈米製程來生產用於行動無線設備的RF前端晶片；而特許半導體(Chartered)等合作廠商，可做為提供手機晶片組廠商製程服務的第二來源。

IBM的晶片組客戶將從2008開始向手機製造商提供CMOS晶片組。手機廠商可望在2009年推出首款採用IBM技術的產品。IBM表示，預計這種晶片組的最大客戶將是那些在中國、印度和拉丁美洲提供入門級低成本手機的供應商。

IBM表示，由IBM最大的客戶們所進行的最初硬體評估已經完成。設計套件將於2008年上半年問世。

(參考原文：IBM touts single-chip phone)

(R. Colin Johnson)