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功率技術/新能源  

Vishay新型P通道TrenchFET適合可攜式應用

上網時間: 2007年10月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  P通道  Siliconix 

Vishay推出新系列P通道MOSFET;這些採用新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝(2.05mm×2.05mm)時,最大導通電阻額定值為29毫歐,採用標準SC-70封裝(2.0mm×2.1mm)時為80毫歐,採用SC-89封裝(1.6mm×1.6mm)時為130毫歐。

這些新型P通道TrenchFET將用於手機、MP3播放器、PDA及數位相機等可攜式終端產品中的負載開關、PA開關及電池開關,在這些應用中,它們的低傳導損失將有助於延長電池的執行時間,它們的微型封裝將節省寶貴的板面空間,因而實現更多功能。

在可攜式電子系統中,透過在顯示器或功率放大器等功能不用時關閉它們,或將系統從活動模式切換到睡眠模式,P通道MOSFET執行基本功能,因而節省電池使用時間。執行這些切換任務時,這些新型Vishay Siliconix元件的功耗很低,其低導通電阻額定值可直接實現更低的導電損失。

日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V擊穿電壓額定值的單通道元件。這些元件採用6接腳SC-89、標準SC-70及PowerPAK SC-70封裝,所有封裝均無鉛符合目前的環保要求。這些新型P通道TrenchFET功率MOSFET的樣品和量產均可提供。




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