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東芝43奈米NAND快閃記憶體製程將採用光學微影設備

上網時間: 2007年10月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:微影技術  NAND快閃記憶體  光學微影 

儘管超紫外光(EUV)、奈米壓印(nano-imprint)等下一代微影技術的呼聲日高,東芝(Toshiba)仍計劃其現有晶圓廠的43奈米NAND快閃記憶體生產線上,採用光學微影(optical lithography)技術。

東芝表示,該公司準備在43奈米NAND快閃記憶體生產線上使用Nikon的193奈米浸潤式步進掃描微影設備NSR-S610C;該設備的數值孔徑(NA)為1.30,適用於45奈米或以下記憶體產品,和32奈米邏輯元件的量產。目前東芝的56奈米NAND快閃記憶體已經出貨,預計43奈米產品將於2008年初投入市場。

據了解,東芝多年來一直使用Nikon的步進掃描微影機。在56奈米NAND快閃記憶體的製造中,東芝採用的也是Nikon的193奈米沈浸式步進掃描微影機。然而,針對22奈米節點應用,東芝則表示正在考量採用EUV或奈米壓印等下一代微影技術。

(參考原文:Toshiba pushes optical litho in fabs)

(Mark LaPedus)




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