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三星以30奈米製程開發首款64Gb NAND快閃記憶體

上網時間: 2007年11月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NAND  自排列雙成型技術  SaDPT 

三星開發成功了一款64Gb多層單元NAND快閃記憶體晶片,該晶片採用30奈米製程設計。三星表示,這標誌著儲存密度連續第八年每年提高一倍,2001年開發的100奈米NAND具有1Gb容量。

該NAND晶片的生產採用了三星開發的自排列雙成型技術(SaDPT)。使用SaDPT,使三星能夠在30奈米生產過程中利用現有的微影設備。它計劃在2009年實現大規模生產。

三星表示,透過採用傳統的微影設備,它能夠加速量產的實現,同時改善生產的成本效率。三星引用市場研究公司Gartner的研究報告指出,64Gb NAND快閃記憶體以及更大容量元件的市場規模可能在2009-2011年達到200億美元。




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