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限制太多? 產業組織提議降低ESD保護標準

上網時間: 2007年11月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:靜電釋放  ESD  改善目標 

一個產業組織最近發表了一份有關晶片級(chip-level)靜電釋放(ESD)改善目標(target level)的新白皮書;可能會引起業界爭議。這份題為《降低元件級HBM/MM ESD規格和要求之提案(A Case for Lowering Component Level HBM/MM ESD Specifications and Requirements)》的白皮書,目前已經針對公眾發佈(按此可查詢全文)。

二十多年以來,晶片製造商已開發出具備晶片上ESD保護電路的數位IC產品;這些元件支援人體模式(HBM)的2000V等級、以及機器模式(MM)的200V等級ESD保護。不過一個「ESD改善目標產業委員會(The Industry Council on ESD Target Levels)」正推動產業界將HBM等級降低到1000V,將MM等級降低到30V。

該組織成立於去年(2006),目前有16家大廠成員,包括美商亞德諾(ADI)、AMD、飛思卡爾(Freescale)、富士通(Fujitsu)、IBM、英飛凌(Infineon)、英特爾(Intel)、LSI、松下(Matsushita )、恩智浦(NXP)、沖電氣(Oki)、瑞薩(Renesas)、三星(Samsung)、Sarnoff、德州儀器(TI)和台積電(TSMC)。

該委員會成員Charvaka Duvvury和Harald Gossner表示:「如今OEM所要求的更好的靜電控制方法,不足以為白皮書中所示的更高等級HBM/MM等級辯護。」Gossner是英飛凌ESD設計資深主管兼ESD改善目標產業委員會聯席主席,而Duvvury則是德州儀器矽技術(Silicon Technology)部門專家兼該委員會聯合主席。

這兩位專家表示:「ESD等級的過度設計(over-design)對矽晶片的面積與性能的限制越來越多,並常常導致產品創新的延誤。基於更佳的靜電控制技術、現場失敗率(field failure rate)、案例研究,以及來自IC供應商和合約製造商的ESD設計資料,我們提出將HBM/MM ESD改善目標降到一個更實際但仍然安全的水準。」

該委員會的成員表示:「這份白皮書的目的在於向半導體公司及其客戶,提供有關品質組織的資訊,以使之評估安全ESD等級要求並作出決定。透過這篇文章,我們說明了為何實際性降低元件級ESD改善等級有其必要,而且刻不容緩。本文所規範的所有元件級ESD測試,都遵循相關JEDEC和ANSI/ESDA規格中所限定的方法。」

不過在ESD改善目標產業委員會中,也並非所有人都意見一致。在被問到他們對此事的看法時,有些成員的態度出現180度大轉彎,尤其是Sarnoff旗下的Sarnoff Europe。

此外NEC電子最近開發出了一種針對45奈米製程節點的新型ESD技術。該公司表示:「由於採用65奈米及以下節點的元件尺寸日益縮小,電路級上的電壓和電流容限(tolerance)變得更嚴格。雖然晶片外型更小,但卻需要跟大尺寸晶片相同的ESD保護等級。」

業界某專家表示:「應該是由客戶來決定他們的ESD要求,而不是某個產業組織。」

(參考原文:Group rolls white paper on new ESD levels)

(Mark LaPedus)




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