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ASMI與Hitachi簽署原子層沉積技術授權協定

上網時間: 2007年12月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:授權  原子層沉積  半導體設備 

ASM International (ASMI)與日立國際電氣(Hitachi Kokusai Electric)共同宣佈,雙方已簽署一項授權協議。根據此項協議,ASMI將把原子層沉積技術專利在批次式原子層沉積領域的使用權授予日立國際電氣。

ASMI在原子層沉積領域擁有多項專利,包括原子層沉積專利以及在豎爐中成批實施原子層沉積的技術專利。這一技術使得在豎爐中實施原子層沉積並同時處理多個晶片成為可能,也為原子層沉積技術的各類應用帶來低成本的益處。

ASMI總經理Albert Hasper表示,很高興日立國際電氣對這一IP組合的價值表示認可,ASMI已透過專業且商業化的方式達成了一項協定,以符合雙方的共同利益。隨著市場對低價原子層沉積產能的需求與日俱增,相信轉讓這一技術,並允許其他供應商共同滿足此一需求,對半導體產業相當有利。

日立總經理Shoichiro Izumi則表示,日立國際電氣很早就已進行批次式原子層沉積技術的開發,並致力於提供優質的半導體設備。相信此項協議將推動原子層沉積技術的發展,進一步為顧客創造福利。




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