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IBM研發聯盟發表32奈米high-k/金屬閘極製程

上網時間: 2007年12月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:32奈米  high-k  金屬閘極 

IBM及其合作開發夥伴日前宣佈,新研發用於下一代32奈米元件的high-k/金屬閘極(metal gate)技術,將在2009年下半年向IBM合作夥伴及其客戶提供。IBM的合作夥伴包括AMD、特許半導體(Chartered)、飛思卡爾(Freescale)、英飛凌(Infineon)、三星(Samsung)和IBM。

利用high-k/金屬閘極製程技術,IBM及其夥伴能夠把晶片尺寸微縮到比尚未量產的45奈米元件還小50%。採用45奈米製程的元件預計在2008年第一季末開始增加產量。此外IBM表示,其high-k/金屬閘極晶片可節省大約45%的整體功率,並使性能提升最多達30%。

IBM與聯盟夥伴並已開發、展示了一款32奈米SRAM,其單元(cell)尺寸小於0.15um2。此外該聯盟還在32奈米上整合了high-k絕緣上覆矽(SOI)技術,針對高性能應用。這種high-k材料的特性,號稱能使電晶體速度比上一代高性能SOI技術提高30%。

IBM半導體研發中心副總裁Gary Patton表示:「這項業界領先開發成果的實現,利用了六家夥伴公司的工程人才,以及世界級的研發設備,如Albany奈米技術研究中心,這樣才能保持具競爭力的發展藍圖。」而在另一方面,英特爾(Intel)也發表了32奈米技術。不過Patton相信:「IBM是第一個開發出針對低功耗及高性能應用的32奈米有效(working) SRAM。」

市場研究公司Gartner預測,對晶片廠商來說,32奈米製程開發成本可能高達30億美元,是65奈米技術的兩倍。而32奈米晶圓廠的建造成本估計高達35億美元。

(參考原文:IBM, partners in 32nm device surge)

(Nicolas Mokhoff)




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