Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

Nanochip採用MEMS技術研發Terabyte記憶體

上網時間: 2008年02月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MEMS  記憶體  相變化 

透過採用微機電系統技術(MEMS),美國業者Nanochip正在進行一項將相變化儲存媒介(phase-change media)與懸臂讀寫頭(cantilever read/write heads)結合的兆位元組(Terabyte)等級記憶體晶片研發。

這種記憶體晶片將採用傳統的、像DRAM一樣的介面,但內部功能就類似多讀寫頭硬碟機(multiple-head hard drive);其受控制的MEMS懸臂與其位元陣列的移動方向一致,以讀寫相變化儲存媒介上的資訊。Naochip預計該晶片的第一款原型將在2009年誕生,並可望在2010年實現量產。

為了達到單晶片具備Terabyte容量的要求,Nanochip這款晶片的位元細胞(bit cell)尺寸為2×3奈米(nanometer)。預計在2010年推出的原型晶片,位元細胞尺寸為15×15奈米,每顆晶片的容量為100Gbytes。

此外Nanochip估計,該晶片可在不需微縮製程的情況下,每年都增加一倍的容量;該公司也將尋求改善其儲存媒介以及妥站控制MEMS懸臂讀寫頭的方法。

Nanochip最近完成了最新一輪的投資,包括來自Intel Capitol以及JK&B Capital的1,400萬美元的資金。該公司創立於1998年,在2006年曾獲1,000萬美元的一輪投資,微軟(Microchip)也是其支援者之一。

Nanochip擁有7項美國專利並已經申請了34項以上的專利。該公司是從位於美國密西根州Rochester Hills的Ovonyx獲得相變化媒介技術的授權。

(參考原文: Nanochip on-track for terabyte chips)

(R. Colin Johnson)




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Nanochip採用MEMS技術研發Terabyte記憶...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首