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奇夢達宣佈製程技術進展 可達30奈米世代

上網時間: 2008年02月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Buried Wordline  30奈米  65奈米 

奇夢達(Qimonda)宣佈其製程技術進展,可達30奈米世代,cell尺寸則號稱可達4F2。此新一代Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸的特性,拓展了奇夢達多元化產品組合。而其65奈米製程技術,也計劃在2008年下半年開始導入生產1Gbit DDR2產品。

奇夢達的目標是於2009年下半年開始量產46奈米Buried Wordline DRAM技術。與58奈米溝槽式技術相比,此46奈米的Buried Wordline DRAM技術會提供每晶圓超過兩倍以上的位元。該公司預計於2009及2010會計年度投資自有資金於此製程轉換,這1億歐元的投資,將運用於轉換現有的溝槽產能至Buried Wordline技術。

奇夢達表示,該公司是運用Buried Wordline的技術和精簡的製程,加上主流的堆疊式電容,使得這項製程轉換僅需較低的投資金額。




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