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功率技術/新能源  

NXP的MOSFET面積僅1 x 0.6mm

上網時間: 2008年03月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  SOT883  SOT23 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)發佈全新系列的小訊號MOSFET,由於採用了超小型SOT883封裝,這一系列SOT883 MOSFET的面積僅有1.0 x 0.6mm,其性能及功耗與採用SOT23的元件相同,卻只需佔據14%的印刷電路板空間。

SOT883 MOSFET的應用領域包括DC/DC電源轉換器模組、液晶電視電源、手機和其他可攜式設備的負載開關。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、快速的開關速度和極低的Rds(on)值,能夠幫助製造商滿足消費者對更輕巧、更節能的產品需求。

SOT883 MOSFET系列產品採用恩智浦已經驗證的四側無接腳扁平封裝(Quad Flat Non-leaded)技術,為客戶提供了一種功耗表現出色的環保型封裝。除大幅縮小MOSFET面積外,恩智浦也取消了竹,不但節省更多電路板空間,還提高了散熱性能。

透過良好的散熱性能和在2.5V時不到0.65歐姆的Rds(on)值,恩智浦的新型MOSFET能提供比現有1.0 x 0.6mm MOSFET元件更高的承載量。新產品還擁有業界最快的開關速度,啟動時間僅為12-16ns,關閉時間僅為17-24ns。

SOT883 MOSFET採用純錫電鍍、高效封裝技術和不含有毒阻燃劑的環保塑膠精製而成,符合所有環保規定。透過高密度封裝技術,可在標準180毫米卷帶(reel)上容納10,000個元件,降低了組裝成本和庫存需求。

恩智浦目前採用SOT883封裝的產品型號包括:PMZ760SN;PMZ390UN;PMZ250UN;PMZ270XN;PMZ350XN。




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