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Zetex新型無鉛MOSFET大幅降低電路面積

上網時間: 2008年03月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ZXMN2F34MA  MOSFET  DFN322 

捷特科(Zetex Semiconductors)公司推出首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比採用標準SOT23封裝的元件小50%,離板高度只有0.85毫米,適用於空間有限的開關和功率管理應用,如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置。

新款MOSFET是Zetex一系列六款新型低電壓(20V及30V) N通道單獨及雙重式元件的其中一款,該系列中設有多種不同的表面安裝封裝可供選擇。採用DFN322無鉛式封裝的該系列元件熱阻比同類零件低出40%,有助提升散熱效益、改善功率密度;額定電壓為20V的ZXMN2F34MA尺寸小巧,但熱性能卻遠勝體積更大的SOT23封裝。

該元件在4.5V及2.5V的典型閘源電壓下,該元件的通態電阻分別為60mΩ和120mΩ。此外,新元件的逆向修復電荷較低,有助減低開關損耗及緩解電磁干擾(EMI)問題,最適用於筆記簿型電腦、行動電話及通用可攜式電子設備中的低電壓應用,確保在線功率損耗維持在低水準,因而延長充電間距。

該系列的新型元件除了採用DFN322封裝的ZXMN2F34MA外,還有三款採用SOT23封裝的N通道MOSFET,包括ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA;另有兩款採用SO8封裝的雙重式N通道元件,包括ZXMN3F31DN8和ZXMN3G32DN8。




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