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IBM宣佈取得32奈米High-K金屬閘極製程進展

上網時間: 2008年04月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:High-K  32nm  金屬閘極 

IBM及其技術聯盟廠商,包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、特許半導體(Charter Semiconductor)、飛思卡爾(Freescale)、三星(Samsung)和東芝(Toshiba)日前宣佈,已在IBM位於美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓廠,成功展示了32nm High-K金屬閘極製程技術,號稱可提供在性能與耗電上超越其他同業的解決方案。

據該聯盟表示,其32nm製程High-K金屬閘極技術與45nm製程相較,能夠在相同的電壓下將性能提高35%,同時能降低30%~50%的功耗。此外根據測試結果,該技術應用於業界標準微處理器時,可較傳統的技術(Poly/SiON)在相同的製程節點上提升40%的性能。

新技術預計可在2009下半年供IBM與其聯盟夥伴應用,而其客戶則能立即使用該製程進行元件設計。

晶圓大廠台積電(TSMC)也悄悄地進行了High-K金屬閘極技術的研發,但尚未公佈推出的時間表;此外其他業者包括富士通(Fujitsu)、中芯國際(SMIC)與聯電(UMC),也在各自開發High-K金屬閘極製程解決方案。

迄今僅有英特爾(Intel)與NEC已宣佈可出貨採用High-K材料的邏輯元件;前者是採用45奈米製程的High-K金屬閘極處理器,後者的產品則是採用55奈米製程的ASIC。

(參考原文: IBM alliance claims 32-nm high-k metal gate advance)

(John Walko)





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