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NXP新型基地台功率電晶體採用第七代LDMOS技術

上網時間: 2008年05月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:LDMOS  Doherty  放大器 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出BLC7G22L(S)-130基地台功率電晶體,恩智浦應用其第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)技術的首款產品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化。

恩智浦表示,其第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案,與上一代產品相比,功率密度提升了20%,功率效能增長了兩個百分點,而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基地台前期電晶體的初款原型將於6月15日到6月20日在年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。

第七代LDMOS的性能達到3.8GHz,且輸出電容減少25%,可實現寬頻輸出匹配,進而設計出更簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty經成為新型基地台發射器的首選放大器架構,幫助無線網路系統商提升效率並降低成本。

BLC7G22L(S)-130的工程樣品將於2008年第三季問世。以恩智浦第七代LDMOS技術為基礎的其他產品將於2009年推出。





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