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ViPR技術經確認為超高劑量離子植入關鍵技術

上網時間: 2008年06月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ViPR  PLAD  ZETA 

FSI International宣佈,具備ViPR技術的FSI ZETA噴霧式清洗系統(Spray Cleaning System)已獲國際論文驗證,是超高劑量電漿輔助摻雜(PLAD)離子植入整合時的關鍵步驟。該論文於日前在美國加州舉行的第十七屆國際離子佈植技術學術研討會期間,由Hynix、Varian、Nanometrics與FSI四大廠商所共同發表。

根據第十七屆國際離子佈植技術學術研討會論文集中,由Y. Jeon等人合著的「超高劑量CMOS應用的關鍵技術」一文提到,對於因曝露在高劑量離子轟擊(ion bombardment)的硬化光阻而言,ViPR製程擁有優異的移除能力,同時不會像傳統技術一樣造成表面損害與材料損失。

電漿輔助摻雜離子植入技術可協助製造廠商持續縮小元件尺寸;然而,傳統的ash-wet製程卻會使得光阻難以移除。過去用以解決此一問題的wet-ash-wet三步驟製程則會在後續製程中造成無法接受的材料損失。

FSI的專利ViPR技術是一種單步驟全濕式的製程,可提高晶圓的化學溫度與反應,以全面移除由電漿輔助摻雜製程所產生的光阻與多摻雜物表面層,同時保留最多的摻雜物。免除灰化與灰化清洗步驟不僅可使製程更快更簡單,更可降低總持有成本。





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