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安森美以超低電容技術擴充ESD保護系列

上網時間: 2008年06月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ESD7L5.0D  NUP4212  ESD 

安森美半導體(ON Semiconductor)宣佈擴充其高性能晶片靜電放電(ESD)保護系列產品,推出ESD7L5.0D和NUP4212兩款元件。這些新產品以安森美半導體專有的整合ESD保護平台設計,在提高定位電壓性能的同時,還能保持低電容器和小巧的晶片尺寸。

ESD7L5.0D採用極小的1.2mm x 1.2mm x 0.5mm SOT-723封裝技術,保護擁有線路0.5pF電容器的兩條高速數據線路。將安森美半導體的低電容器技術整合至三接腳封裝的方式為設計人員提供以單一元件保護USB2.0埠D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能連接陰極至陰極,保護0.25pF電容器的一條雙向線路,適用於保護高頻射頻(RF)天線線路。

NUP4212採用小巧的1.6mm x 1.6mm x 0.5mm UDFN-6封裝,保護每條線路0.7pF的4條高速數據線路和2條Vcc電源線路。設計工程師能夠運用單一整合元件保護兩個USB埠上的D+和D-線路及Vcc線路。此外,ESD7L5.0D和NUP4212能夠將15kV的輸入ESD波形在數奈秒(ns)內鉗位低於7V,為目前對ESD敏感的IC提供更高度的保護。





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