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三星與海力士共同開發450mm製程STT-MRAM

上網時間: 2008年06月30日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:450mm  STT-MRAM  晶圓製程 

三星(Samsung)與海力士半導體(Hynix),近日於漢城舉行的半導體商與政府部門集會上,對外宣稱將聯合開發旋轉力矩轉移-磁性隨機記憶體(STT-MRAM)並使之標準化,因而提供採用450mm晶圓製程的MRAM。

兩家公司解釋道,該聯盟目的在於為韓國當地電子產業開發出一項關鍵技術,因而避免支付專利費給外國公司。從事STT-MRAM研發的合資公司,將定於今年9月掛牌成立。據稱,若該合資公司運作成功,三星與海力士將會規避來自日本的競爭,以避免向日本支付專利費用。

(參考原文: Samsung, Hynix to team on MRAM, 450-mm wafers)

(Peter Clarke)





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