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功率技術/新能源  

IR推出25V DirectFET晶片組

上網時間: 2008年07月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:25V  DC-DC  轉換器 

國際整流器公司(International Rectifier,IR),針對高頻和高效率DC-DC應用,推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組,適用於負載點(POL)轉換器設計、伺服器、高階桌上型電腦和筆記型電腦應用。

新25V晶片組結合IR新的HEXFET MOSFET矽技術與DirectFET封裝技術,整合高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案在SO-8元件,並採用了0.7mm輕薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件導通電阻(RDS(on))非常低,也同時具備極低的閘電荷(Qg)和閘漏極電荷(Qgd),以提升效率和溫度效能,並可在每相位逾25A的情況下運作。

IRF6710S 0.3Ohms的極低閘電阻和3.0nC的超低米勒電荷(Qgd),可大幅減低開關損耗,適合作為控制MOSFET之用。IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on),故當整合式蕭特基整流器(Schottky rectifier)降低二極體傳導損耗和反向修復損耗,這些新元件就能顯著減少傳導損耗。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔用面積,因此能輕易由原有SyncFET元件轉而使用新元件。





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