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Aviza 12吋晶圓級IBD瞄準MRAM及CMOS金屬閘極應用

上網時間: 2008年11月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:StratIon fxP  MRAM  CMOS 

看好MRAM在未來記憶體市場將佔有舉足輕重的地位,Aviza公司日前推出具有其專利MORI電漿源的StratIon fxP——全球首台用於12吋(300mm)晶圓級離子束沉積系統(Ion Beam Deposition,IBD)。而該公司的第一台StratIon fxP系統已獲法國的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC採用。

CEA-LETI將利用StratIon fxP系統於研發次世代MTJ的裝置以及應用於磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、硬碟驅動讀寫頭或RF元件;該系統也將用於先進CMOS製程的金屬閘極沉積中。此外,CEA-LETI並與Aviza簽署一項三年的聯合發展計畫,內容包括未來MRAM和自旋電子裝置將會用到的MTJ沉積製程研發。

Aviza公司表示,MRAM的製程需求是奈米級的,其最小薄膜厚度小於10埃、具有10~15層堆疊並需要非常平滑的薄膜(小於5埃/rms);而StratIon fxP系統正是符合這些需求的解決方案。StratIon fxP能在12吋晶圓上生產方均根粗糙度小於2埃(angstrom)以及厚度非均勻性小於0.5%的薄膜,可相當精準地控制每層薄膜的厚度;且相較於現有磁控穿隧接合面(MTJ)濺射沉積設備所生產的薄膜,採用MORI電漿源製造出的薄膜平滑度高於MTJ的兩倍。

StratIon fxP系統使用離子束製程來沉積金屬和介電薄膜,是針對高量產矽晶廠所設計。已生產的驗證硬體和軟體平台可依預清洗、氧化和沉積三種標準腔室型態組裝。其他包括原子層沉積(ALD)和磁控PVD的沉積腔室,可視彈性需要無縫整合到此系統中。

Aviza公司PVD、CVD及蝕刻業務行銷副總裁David Butler表示:「MRAM是成為通用記憶體最具潛力的代表,它具有如Flash一樣的非揮發性、與SRAM及DRAM媲美的速度、無限的讀寫次數、可調變並可輕易地整合到CMOS後段(BEOL)製程。因此全球多家大廠已陸續投入MRAM市場。雖然目前MRAM的價格仍高於Flash 4~5倍,但隨著新技術不斷地研發,這個差距未來也將慢慢縮減。」

此外,Aviza也相當看好MRAM在台灣的市場,David Butler表示,台積電(TSMC)與工研院電子所持續不斷在MRAM產品上深耕,並計畫於2009~2010年量產嵌入式MRAM的產品,我們也很企盼與台灣廠商能有進一步的合作。

作者:郭亞善 / 電子工程專輯





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