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ASM、SAFC Hitech合作開發新材料

上網時間: 2009年01月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:原子層沉積  ALD  化學 

ASM International和Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech,日前針對進階超介電常數絕緣層(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子層沉積(ALD)原料簽訂認證製造廠商與合作協定。該協定提供化學原料之認證標準、特定ASM ALD專利授權許可,以及針對這些化學原料的行銷與進階開發合作關係。

最新開發的「環戊二烯」(cyclopentadienyl)材料能夠讓次世代以鍶(Strontium)和鋇(Barium)為基礎的超高介電常數絕緣層具備超過100的介電常數。相較之下,目前量產的以鋯(Zirconium)和鉿(Hafnium)為基礎的高介電常數絕緣層,其介電常數則低於30至40。具較高介電常數的絕緣層能夠讓裝置製造廠商為DRAM記憶體晶片生產更小的電容,和替微處理器生產更小的電晶體

「我們看到在晶片製程當中生產與整合新材料的作法進一步推動了摩爾定律。」ASM技術長暨研發部門總監Ivo Raaijmakers表示,「這項合作將讓我們更有效率地開發新材料,並且在供應鏈上做好準備,以即時在製程當中導入超高介電常數材料。」

「SAFC Hitech和ASM的研究團隊已經密切合作了相當長的時間,並共同致力於此等級環戊二烯材料的評估與流程開發。」SAFC Hitech研發部門總監Peter Heys博士補充道,「這樣的合作產出了高品質ALD的原料。我們現在正努力擴大鍶與鋇超高介電常數來源前驅物的大量製造生產。現在的目標是要讓產品數量得以因應2011年與未來的預估需求、符合ITRS產品藍圖的需求,以及ASM和SAFC Hitech的規劃。」





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