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創新光罩技術可產出36奈米線寬電路

上網時間: 2009年04月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:奈米  蝕刻線  光罩 

美國麻省理工學院(MIT)的研究人員宣佈,已在量產奈米級圖案(patterns)的技術上取得突破,能產出比用來曝光這些圖案的光波長更小的圖案。研究人員表示,他們已找到了一種新的蝕刻技術,能創造出蝕刻線寬僅36奈米的光罩,並讓這些蝕刻線的間隔距離也縮到一樣小。

這種創新的、能在晶片上蝕刻出非常窄小線寬的技術,使用了一種能在透明與不透明狀態間轉換的材料,並將之曝光在特定的光波長下。研究人員表示,這種材料並不是新的,但創新之處是在於由該技術所製造的光罩,能用以在該種材料上創造出非常細的線。利用該吸收調變(absorbance modulation)新技術所製造出的線寬,據說僅有所使用之光波波長的十分之一。

研究人員並找出了一種光致變色材料(photochromic material)──也就是會依據光線改變顏色或是透明度──其透光或不透光的部份,會在曝曬在光線下之後保持穩定。

研究人員將這種光致變色材料同時曝光在一對圖案下,每個圖案都有不同的波長;當某種波長下的亮線條與另一個波長下的暗線條一致,就會在透明與不透明材料上交錯產生非常細的線。然後該畫線層就可用來當作光罩,並透過光線照射在底層的材料形成圖案;就像是照相底片一樣,可透過曝光而在相紙上顯出影像。

主導該技術的是MIT電子學研究實驗室的研發工程師Rajesh Menon,以及該校化學系研究生Trisha Andrew、電子電機與電腦系的Hsin-Yu Tsai。Menon預期可在五年內將該技術投入商業化量產。

(參考原文:MIT researchers claim novel pattern exposure ,by Nicolas Mokhoff)





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