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英飛凌發表全新高功率LDMOS電晶體系列產品

上網時間: 2009年06月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:LDMOS  電晶體  基地台 

英飛凌科技(Infineon TEchnologies)於美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會(International Microwave Symposium)上宣佈推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品。

新型電晶體的功率位準高達300W,視訊頻寬超過90MHz,完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高資料傳輸速率規格。

新型電晶體系列產品所提供的高增益及高功率密度,優於在1.4-2.6GHz行動頻帶中運作的其他裝置。如此將可使用體積減少30%的套件,設計更小型且成本更低的放大器。高峰值功率非常有助於設計Doherty放大器,以及減少其他架構中的零件數量。

這批新型電晶體以雙載波WCDMA訊號(2170MHz、30V、8dB PAR及3.84MHz通道頻寬)所測得的效能為50W平均功耗、18dB增益,效率28%(使用230W的P-1dB輸出功率電晶體)。300W (P-1dB)裝置於相同應用條件下,所測得的效能為65W平均功率、18dB增益,效率28%。

所有新型PTFB系列電晶體皆採用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝,供螺栓式(bolt-down)或無耳式(earless)安裝。這些產品皆無鉛並符合ROHS規格。前六種產品的樣品目前已可供貨。





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