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台積電宣佈達成28奈米64Mb SRAM試產良率

上網時間: 2009年08月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:28奈米  良率  台積電 

台積電日前宣佈達成28奈米64Mb SRAM試產良率,而且分別在28奈米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化矽(簡稱28LP)等28奈米全系列製程驗證均完成相同的良率。該公司亦同時宣佈將低耗電製程納入28奈米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate,HKMG)製程的技術藍圖,預計於2010年第三季進行試產(Risk Production)。

台積電研究發展副總經理孫元成表示,上述所有三種28奈米系列製程皆已由64Mb SRAM晶片完成良率驗證;更值得一提的是,此項成果亦展現該公司兩項高介電層/金屬閘製程採用gate-last方法而獲得的製造效益。

該公司先進技術事業資深副總經理劉德音則表示,這項突破突顯台積電28奈米製程的能力與價值,顯示該公司不僅有能力延伸傳統慣用的氮氧化矽(Silicon Oxynitride)材料至28奈米世代,也能夠同時推出28奈米的高介電層/金屬閘材料製程。

台積電表示,自2008年九月發表28奈米技術以來,其技術的發展與進入量產的時程皆按預期計劃進行。就試產時程順序而言,低耗電氮氧化矽(簡稱28LP)製程預計於2010年第一季底進行試產,高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)製程則預計於2010年第二季底開始試產,而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)製程的試產時程將繼前兩者之後推出,於2010年第三季進行試產。

台積電採用gate-last方法的28HPL製程是28HP製程的延伸,強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能。至於28HPL製程則適用於行動電話、精巧型隨身易網機(smart netbook)、無線通訊、可攜式消費性電子等多種的低耗電應用。

28HPL製程有完備的元件支援,適用於通用型市場應用的系統單晶片(SoC)平台,與28LP製程在特色上各有所強。28LP因延伸自氮氧化矽(SiON)製程,因而成本更低、且有利於快速上市,尤其適用於手機與手持裝置的應用。

此外該公司於2008年九月宣佈之28HP製程亦採用gate-last 方法,適合中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、晶片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、遊戲主機與行動計算等高效能導向的應用。

為了將28奈米製程的功效在全系列各式不同客戶產品中充分發揮,台積電已與客戶和設計夥伴密切合作,在其開放創新平台(Open Innovation Platform,OIP)上提供完備的設計架構。





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