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KLA-Tencor解決2x-nm光罩設計不連續問題

上網時間: 2009年09月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Teron 600  光罩  缺陷檢測 

KLA-Tencor日前推出Teron 600系列光罩缺陷檢測系統,加入了可編程掃描機曝光功能,大幅改良了靈敏度和微影計算功能,能滿足2x-nm邏輯(3x-nm half-pitch記憶體)製程節點的光罩設計需求。

過去,光罩設計人員首先從與目標晶圓圖形相似的光罩圖形著手,對光罩的特性(光學近似校正或OPC)進行小範圍調整,直到獲得所需的晶圓結構為止。該方法在2x-nm節點處開始失效,因為193nm的微影延伸至一個極端次波長範圍。因此,在2x-nm節點上使用反向微影技術(ILT)和源光罩最佳化(SMO)等計算微影技術變成可行。

ILT通常會產生一個複雜的光罩圖形和大量非常細小的結構,使光罩生產變得非常困難。更有甚者,SMO會涉及到計算不均勻的掃描機光強分佈。該分佈的主要目的是與ILT光罩共同在晶圓上呈現最佳的微影效果。

KLA-Tencor光罩檢測部的副總裁兼總經理Brian Haas表示,光罩細微結構比從3x-nm到2x-nm預計的縮小幅度還要小得多。另外,光罩圖形如此破碎,使得工程師根本無法查找光罩缺陷的位置並確定其是否可以印刷到晶圓上——可能會導致半導體廠產生嚴重的成品率損失。對於2x-nm節點,我們必須能夠輸入一個用戶定義的掃描機曝光分佈,考慮極化效應和光阻,並精確地計算光罩缺陷對晶圓的影響。

Teron 600利用了KLA-Tencor在計算微影方面的技術,以及開發和製造6代光罩檢測平台方面的經驗。因此,該系統具有超高解析度和低雜訊,專用於解決新的2x-nm製程問題。

Teron 600平台的設計旨在提高靈活性和可擴展性。該系統已成功的檢測了為ILT/SMO、重複圖案微影(DPL)和EUV(光罩和空片)建構的原型光罩。其設計考量甚至延伸到了潛在的1Xnm製程光學解決方案。另外,Teron600系列可與KLA-Tencor的TeraScan 500系列光罩缺陷檢測系統搭配,提供經濟的解決方案。

全新的Teron 600系列具有全新193nm波長、更小的畫素,改良的圖像處理和超低雜訊運行,從而提供高解析度的光罩平面檢測(RPI);其裸晶-資料庫(Die to database)和裸晶-裸晶(Die to die)的運行模式,可擷取各種佈局的捕獲和切割道缺陷;而晶圓平面檢測(WPI)則用於預測光罩缺陷的可印刷性,並透過光阻閾值,次波長衍射和極化效應模擬來實現。

該系統同時具備全新的用戶設置掃描機曝光模型,可在實施SMO、ILT或其他非標準掃描機曝光幾何形狀時,預測光罩缺陷的可印刷性;透過偽平面過濾雜訊缺陷,在光罩生產過程中,促進早期製程開發並縮短生產週期。此外,Teron和TeraScan平台的相容性,可對關鍵和非關鍵層的資料進行產能最佳化和有效整合。





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