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記憶體/儲存  

編輯觀點:PCM將現身學術會議 獨欠一味?

上網時間: 2009年12月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:相變化記憶體  PCM  學術會議 

到目前為止,非揮發性記憶體供應商恆憶(Numonyx)一直對其相變化記憶體(phase-change memory,PCM)技術守口如瓶,讓人不滿的程度甚至達到必須在簽署保密協定的前提下,才提供相關技術規格表。而隨著Numonyx把相變化記憶體帶進國際性學術會議場合,以上的狀況希望會有所改變。

Numonyx將分別在下週於巴爾的摩(Baltimore)舉行的國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting)與明年2月於舊金山舉行的國際固態電路會議(International Solid-State Circuits Conference)上,發表相變化記憶體技術論文。此舉代表該公司透過正式學術論文的發表,宣示其讓硫屬化合物(chalcogenide-based)相變化記憶體取代現有快閃記憶體的決心。

Numonyx在分別將於上述兩場會議的不同論文中敘述了其研發成果,該公司的相變化記憶體為容量1Gbit的元件,以45奈米製程生產;該公司先前曾表示預計在2009年生產。這已經非常先進,但似乎還缺少了一樣東西──當然,Numonyx論文的詳細內容尚不得而知,但從其標題與摘要來看,所謂的每單元多位元(multibit per cell)技術,也就是多層電路元(multilevel cell,MLC),似乎並未在論文中有所著墨。

然而,在相變化記憶體單元中採用MLC技術,是該種記憶體成功與否的關鍵;Numonyx也了解這一點,過去也曾表示正在研發該技術。但MLC相變化記憶體看來不會在以上國際學術會議亮相的狀況,可能意味著研發過程並不順利。非晶態變化(crystalline)已被證實在奈米等級下是很難理解的,因此要找到一個能將I-V曲線劃分為4個或以上的可重覆停等點(stopping off points)可能會非常困難。

三星(Samsung)已經開始採用30奈米製程量產32Gbit NAND快閃記憶體,MLC技術就在其中扮演關鍵角色;當每個記憶體單元能儲存3位元(bit)或是一個位元組(byte)的容量,就能把4Gbit的陣列轉變為32Gbit的記憶體。

相變化記憶體如果要能趕上快閃記憶體的容量,就必須要有MLC技術的配合;而若是MLC在上述的學術會議論文中缺席,恐怕是值得憂慮的。當然,除非Numonyx堅持在學術會議上所發表的成果,都是已經超越發展階段、並已實際送到客戶手中的,那麼在2010年底或是2011年看到MLC的現身,時間點就差不多。但這麼看來,學術性會議的論文發表,又似乎變成了行銷手段?

(參考原文:Comment: Phase-change memory goes on conference circuit; what's missing?,by Peter Clarke)





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