諾發新硬式蝕刻光罩薄膜協助改善7%良率

Novellus表示，不論是邏輯或記憶體元件，在32奈米以下的設計規則都需要較高的高寬比(AR)圖案。在這些先進的幾何形狀，電漿增強式化學氣相沉積(PECVD)的非晶碳薄膜，比傳統的光阻更具較高的蝕刻選擇性和優越的機械性能。

此外，這種性質的薄膜，可更準確地將光阻圖案轉移到基板上，不會有圖案倒塌或線彎曲的壞處。這些非晶碳薄膜還可用於雙重圖形化製程(double patterning)，不僅增加成本效益，亦可完成高密度圖案化製程。

以傳統550C的非晶質薄膜和HST AHM薄膜的蝕刻選擇性做比較，雖然提高沉積溫度可以用來增加選擇性，但會有負面影響降低薄膜的透明度。比較不透明的薄膜在黃光對準的步驟上會較困難，諾發的AHM薄膜不會犧牲透明度，並且可維持大的高寬比所需的選擇性。

此外，諾發的低腐蝕率的薄膜可以有較佳的關鍵尺寸均勻性(CDU)，有助於高密度、大高寬比的圖案化製程，是量率改善的關鍵。

AHM在晶圓邊緣的厚度會影響到那個區域晶粒的量率，所以需要一個狹窄的過渡帶在完整膜厚到裸晶片之間(也就是完全的AHM去除)。諾發的VECTOR PECVD平台具有一個整合的EBR模組，可提供完整1毫米的AHM薄膜去除區域。這種尖銳的邊緣過渡區，可確保在邊緣的晶粒有足夠的AHM厚度，可控制2毫米內的CD均勻性控制。

EBR模組是和主機台整合在一起，所以不需要額外的洗邊用機台。而且由於AHM模組和主沈積反應室分開，相較於其他在同一反應室處理的技術可有較佳的製程與微粒控制。

除了提高晶片率，諾發HST AHM薄膜在大量生產線上也提供了更大的製程調整空間。在高溫下沈積的傳統非晶碳薄膜容易以很快的速度吸水，但是Novellus VECTOR PECVD平台的多站連續沉積(MSSD)設計有較多的薄膜介面阻擋水氣，具有極佳檔水性。