TSMC推出LED驅動積體電路製程

新的製程橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代，並有數個數位核心模組可供選擇，適合不同的數位控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttle共乘試製服務，支援0.25微米與0.18微米製程的初步功能驗證。

藉著新製程所提供的多項整合特色，可減少系統產品的物料清單。不只強固的高電壓DMOS提供MOSFET開關整合，降低零組件數目外，其他可被整合的零組件還包括：高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶矽齊納二極體(Zener diode)等，也可降低外部零組件數，並顯著地縮小電路板的面積。

DMOS製程支援專業積體電路製造中領先的汲極至源極導通電阻(Rdson)效能(例如：對一特定的60V NLDMOS元件，當BV>80V時，其Rdson為72mohm-mm2)以及其高電流驅動能力，可藉由元件尺寸的最佳化來提昇功率效能；強固的安全操作區域(SOA)也能讓功率開關與驅動電路更為理想；更多詳細的特性分析亦可作為有用的參考，使IC設計能達到最佳的晶片尺寸及設計預算。

在COMS方面，5V工作電壓能支援類比脈衝寬度調變器(Pulse Width Modulation controller)的設計，而2.5伏特及1.8伏特的邏輯核心，則通用於較高層次的數位整合。除此之外，與邏輯線路相容、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項，亦可提供強化的數位程式設計使用。

台積電工業電子開發處劉信生處長指出，就驅動元件整合來說，新的LED驅動IC之BCD製程是非常尖端的技術，其相關的製程設計套件(PDKs)強調高度精準的SPICE模型，提供單晶片設計更多的方便性。除此之外，Mismatching Model可協助提昇目前在多通道LED驅動器設計上的精準度。