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功率技術/新能源  

TI的NexFET功率MOSFET提高50%電流量

上網時間: 2010年01月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  DualCool  NexFET 

德州儀器(TI)宣佈針對高電流DC/DC應用推出業界第一個透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸,同時還可將通過MOSFET的電流提高50%,並且比其他標準尺寸封裝提供了更好的散熱管理。

該系列包含5款NexFET裝置,可協助電腦運算與電信系統的設計人員使用更高電流的處理器,在顯著節省電路板空間的同時配備容量更大的記憶體。這些採用先進封裝的MOSFET可用於桌上型電腦、伺服器、電信或網路設備、基地台以及高電流工業系統等廣泛的終端應用中。

TI資深副總裁暨全球電源管理部門經理Steve Anderson指出,為了滿足各種基礎設備市場對處理功率的更高要求,客戶要求以更小的封裝實現具有更高電流的DC/DC電源。DualCool NexFET功率MOSFET在不改變尺寸的同時能處理更多電流,可充分滿足客戶需求。

在35A的高電流單相位DC/DC同步降壓轉換電路應用上,只需要在上端(high-side)與下端(low-side)各採用一顆DualCool NexFET功率MOSFET。其增強型封裝技術可將封裝頂部的熱阻從每瓦10~15℃降至每瓦1.2℃,進而提升80%的功耗效能。

DualCool NexFET功率MOSFET的雙面散熱技術可允許通過FET的電流量提升50%,使設計人員無需增加終端設備尺寸,便可彈性地使用高電流處理器。新元件業界標準的5mm x 6mm SON封裝可簡化設計、降低成本,而且與使用兩個標準封裝相比,可節省30mm2的空間。





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