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功率技術/新能源  

雪崩額定值500Mj的100V N通道MOSFET

上網時間: 2010年02月05日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  UPS  負載  馬達  RoHS 

安森美半導體(ON Semiconductor)新推出12款100V的N通道功率MOSFET,提供達500毫焦耳(mJ)的雪崩額定值,非常適用於要顧慮因非鉗位電感負載引致過度電壓應力的設計。

新元件的典型應用包括工業馬達控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛元件符合RoHS指令,導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ);電流能力高達76安培(A);已經過100%雪崩測試,並通過AEC-Q101標準認證。

NTP641x和NTB641x系列42到76A元件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,採用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。

NTD641x系列17到32A元件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,採用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些元件的工作溫度範圍為-55℃至+175℃。





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