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NXP全新Trench 6 MOSFET支援60/100V工作電壓

上網時間: 2010年02月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  LFPAK  汽車  AEC-Q101 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)宣佈全新60 V和100 V電晶體,擴展Trench 6 MOSFET產品線。新產品採用Power SO-8 LEPAK封裝(Loss Free package),支援60 V和100 V兩種工作電壓。

新產品特性包括:3.6 mΩ(標準值)、60 V、Power-SO8封裝(PSMN5R5-60YS);10.0 mΩ(標準值),100 V,Power-SO8封裝(PSMN012-100YS);是全球首款電阻小於1 mΩ、25V並採用Power SO8封裝的MOSFET開關型應用元件。

Power-SO8元件最高工作溫度達175℃,符合汽車電子元件標準AEC-Q101。LFPAK封裝最大電流為ID(MAX)=100A。新元件還支援人工視覺檢驗設備的檢測(許多其他Power-SO8產品需要X光檢測),並具備突波耐受(Avalanche rated)、符合RoHS規定、無鹵封裝等特性。

LFPAK封裝透過設計的最佳化達到最佳熱/電效能表現、成本效益與可靠性。LFPAK是汽車產業標準AEC-Q101唯一認可的Power-SO8封裝形式,可在極端惡劣的工作條件下展現良好耐受性和可靠性。

除了新型Power SO-8封裝產品,恩智浦亦推出符合業界標準TO220 (SOT78)的60V和100V元件線。Trench 6矽技術結合TO220封裝,在包括提高工作效率、降低開關損耗、改善電流容量,增加功率密度等方面皆有顯著的提升。

產品主要特點包括:2.4 mΩ(標準值)、60 V、TO220封裝(PSMN3R0-60PS);4.3mΩ(標準值)、100 V、TO220封裝(PSMN5R6-100PS);最高工作溫度:175℃;最大電流為D(MAX) = 100 A;具備突波耐受(Avalanche rated)、符合RoHS規定、無鹵封裝、低熱阻等特性。





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