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RFMD與Nujira共同打造4G寬頻功率放大器

上網時間: 2010年02月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:4G  PA  RFG1M  GaN  Coolteg.h 

Nujira和RF Micro Devices (RFMD)宣佈,將針對4G基地台開發全新的寬頻功率放大器(PA)。據表示,新設計整合了全新RFMD RFG1M系列高性能氮化鎵(GaN)放大器及Nujira的Coolteq.h封包追蹤功率調變器,可世界各地不同的傳輸標準。

二家公司將於2010年2月於巴塞羅那所舉辦的Mobile World Congress中,展示這款PA設計。該設計僅使用一個RFG1M元件與Coolteq.h模組,便可透過高於50%的效率傳輸於728-960MHz頻段,涵蓋3GPP針對LTE定義的七個頻段,使GaN-based功率放大器平台超越了競爭性寬頻Doherty LDMOS解決方案。

此外,透過RFMD目前開發中的GaN元件,兩家公司預計可僅透過三個寬頻功率放大器便能涵蓋整個700MHz-2,600MHz的全蜂巢式頻段,使無線基礎設施供應商可開發一個單一、高效率多模的寬頻射頻前端,以滿足世界各地不同的傳輸標準。

該項設計是基於RFMD的RFG1M09180 180W GaN寬頻功率電晶體。RFMD的GaN元件可在寬廣的RF頻寬中提供高效率,以更少的PA平台來涵蓋整個蜂巢式頻譜(700MHz至2,700MHz)。





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