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KLA-Tencor新版PROLITH X3.1解決微影挑戰

上網時間: 2010年02月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:EUV  微影  PROLITH  模擬 

KLA-Tencor Corporation推出新一代PROLITH X3.1虛擬黃光電腦模擬軟體,能讓晶片廠商、研發機構及設備製造商以迅速且極具成本效益的方式,解決超紫外線(EUV)和雙次成像微影(DPL)製程中的挑戰性問題,包括與晶圓堆疊不平坦有關的邊緣粗糙度(LER)和成像問題在內,減少研發和微影資源,並加速產品開發。

KLA-Tencor製程控制資訊部副總裁兼區域總經理Ed Charrier表示,在評估2Xnm及未來更先進設計的多項微影技術方面,研發人員面臨著一項異常複雜的任務。他們必須瞭解製程設計前後如何影響在晶圓上的成像,包括光罩設計、掃描曝光機設定、晶圓堆疊不平坦和光阻成份的差異等影響。

PROLITH X3.1並不實際曝光測試晶圓,而是模擬成像結果,利用基本物理學原理來協助研發人員研究和最佳化微影製程。新的X3.1版EUV和LER功能只需數分鐘就能產生精準結果,使其可以大幅縮短產品開發時間。此外,這項策略還能降低掃描曝光機、track和CD-SEM機台轉至運行可行性實驗的時間,釋出EUV技術以便進行整合與測試,或釋出微影技術以增加生產運行。

PROLITH X3.1是首一款考慮光的量子行為和光阻中的離散反應分子的隨機型(或然率)產品,能夠協助研發人員以數分鐘的運行時間精準模擬LER,讓在實際的晶圓廠中研究各種製程條件對LER的影響成為現實。

PROLITH X3.1的其他特色還包括:可對影像刻印的可重複性以及對良率的影響進行研究;對線和接觸孔CD的均勻性進行預測;判定可用的製程容許量;以及測試不同的光阻反應物載入級別如何影響成像(例如製程容許量、CD控制、缺陷級別),從而讓材料製造商能夠以顯著降低的成本探索光阻配方。

PROLITH X3.1是市場上首款模擬EUV光電子微影製程結果的產品,其直覺的晶圓堆疊不平坦設定和改善後的晶圓堆疊不平坦模組允許迅速、方便地對雙次和單次成像非平坦微影層積和諸如FinFET等次世代非平坦元件進行評估。PROLITH X3.1具有超過60個高精準度、經過校準的光阻模型,可供立即使用。

PROLITH X3.1還具備在一台32位元個人電腦上執行的直觀介面能夠提供迅速、精準的微影模組,而無需升級電腦或使用超級電腦,提供的擴展能力可保護研發人員的現有投資。





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