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首款3G智慧手機用矽晶開關問世

上網時間: 2010年03月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:3G  4G  RF1603  SP3T  開關 

RF Micro Devices, Inc. (RFMD)日前宣佈,該公司已獲認證,並發表首款高電阻率矽基板的高功率RF CMOS開關。全新的高功率CMOS蜂巢式開關包括一款SP3T開關RF1603,以及一款SP4T開關RF1604。

這些新的開關是RFMD利用的新製程技術,以及由RFMD所開發的專利申請中之設計和電路相關技術,針對下一代3G和4G智慧型手機及其他手機、無線基礎設施、WLAN、有線電視/寬頻和航太及國防應用提供的矽晶開關產品組合。

RFMD的CMOS蜂巢式開關可達到或超過嚴格下一代3G和4G手機的線性度和隔離要求,同時提供良好ESD效能(HBM data rated@2,000V)。此外,透過在同一電路整合控制器和射頻開關,RFMD專利申請中的電路有關技術和創新的高電阻率率CMOS技術可縮小產品尺寸,同時提高產品性能。

RFMD目前已提供兩種產品的樣品給一線客戶,而商業生產預計將在2010年上半年開始。隨後的CMOS產品將因應越來越高層次的終端產品複雜性,其將包括RFMD用於3G智慧型手機之開關濾波模組和開關雙工模組產品。

RFMD表示,CMOS蜂巢式開關提供的線性度和隔離能力,在今日多頻3G手機是至關重要的。該公司預計2010年將會獲得來自領導級3G智慧型手機廠商所驅動的重要客戶合作。





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