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IR 25V DirectFET晶片組提升12V同步降壓應用效率

上網時間: 2010年04月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DirectFET  電晶體  開關  IRF6706S2PbF  IRF6798MPbF 

國際整流器(IR)推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET晶片組,可提升包括伺服器、桌上型和筆記簿型電腦在內的12V同步降壓應用效率。

IRF6798MPbF中罐DirectFET提供低於1mΩ的導通電阻(RDS(on)),可在整個負載範圍內保持高效率。新元件備有單片式整合式蕭特基二極管,能夠減少與體二極管傳導相關的耗損。IRF6798MPbF也提供僅為0.25mΩ的極低閘電阻(Rg),避免了與Cdv/dt相關的擊穿。

IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低RDS(on)來減少開關及傳導耗損,更為快速開關提供極低的Rg。





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