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Novellus精密抗反射層薄膜超越32nm製程需求

上網時間: 2010年05月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Vector  PECVD  電漿化學氣相沉積  ITRS  微影 

諾發系統(Novellus)日前宣佈,已經在VECTOR PECVD平台上開發出具有晶圓對晶圓間膜厚變異小於2埃的精密抗反射層薄膜(ARL)。新製程採用VECTOR特有的多重平台序列式沉積工藝技術架構(MSSP),沉積出的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度、折射率(n)和消光係數(K)。這種新薄膜已超越了次32nm微顯影的要求,且優於由平行式單平台沉積技術所製造出來的薄膜。

成功控制關鍵尺寸(CD)的變化量是對32及次32奈米微顯影不可或缺的一環。2009年國際半導體技術藍圖(ITRS)中建議總關鍵尺寸(CD)的變異量應控制在小於1nm,以確保超高性能電路的功能性。如高端相位偏移遮蔽複合光學近端校正的先進的微顯影CD控制設備,已成為極其昂貴的投資,以便達到32奈米元件製造的嚴格CD控制需求。

另外有一個有效且較不昂貴被稱為「劑量補償」的技術被應用來控制微顯影技術的變異量,晶圓上特定區域的照射劑量被軟體運算所補償調整,為了確保適當的劑量補償,這個技術成功的關鍵在於需要在每一片晶圓上應用可精密控制膜厚及光學特性的抗反射層薄膜。

諾發公司的工程師已經在VECTOR機台上開發出一種新的ARL製程技術,且提供了這些需要使用光譜吸收劑量補償控制策略的晶圓間有著更一致的效果。新的製程技術,還連結了VECTOR機台本身角度精準度小於0.3毫米,以確保預期的薄膜性質符合32奈米微影技術的需求。

VECTOR的ARL薄膜無論是在晶圓本身或是晶圓與晶圓之間都有較低的差異性,且擁有著晶圓分布的可預測性。相較之下,使用單站機台沉積的ARL薄膜會有極大的晶圓間差異,它將會危及光譜吸收補償控制策略的製程。

此外,諾發公司的ARL製程只有1.6A的點對點厚度變化,或0.34%的厚度差異。而類似雙單站沉積ARL薄膜的厚度差異卻達到了7.3A(或是1.5%厚度差異),誤差超過了諾發公司的製程4倍之大。在這本來就已經是雙單站沉積形式的機台因素中,這種變化可能過於懸殊去影響到光譜吸收補償製程的CD控制。





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