Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

力旺提供完整多次可程式嵌入式非揮發性記憶體平台

上網時間: 2010年05月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Neobit  記憶體  MTP  EEPROM  NeoEE 

為因應嵌入式市場對不同應用產品的需求,力旺電子(eMemory)宣佈提供MTP多次可程式嵌入式非揮發性記憶體(Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory)技術,現已能根據客戶對於容量(density),寫入次數(endurance)和導入成本低等各項需求,量身打造解決方案。

力旺表示,隨著產品應用的演進,市場對於多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術之需求與日俱增。惟現有嵌入式非揮發性記憶體技術,包括Flash、EEPROM等,因有製程複雜、不相容於邏輯製程、導入時程長、以及6~10道額外光罩之高成本等限制,令廠商望之卻步,不易普及採用。

為解決這些問題,力旺近年來投入多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術開發,已完成包括Neobit、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與矽智財,能為客戶提供全方位完整技術支援與矽智財。

力旺電子MTP技術提供之應用範圍相當廣泛,針對寫入次數小於10次的應用,可使用多區塊的Neobit IP,以及以Neobit元件組成之多次寫入解決方案。由於這些方案是以力量的Neobit技術為基礎,因此製程普及度及大宗量產成熟度非常高。

而針對容量16Kb以上,更高寫入次數應用需求,則可採用NeoFlash技術。力量表示,該公司近年來持續與美日整合元件廠以及各地晶圓代工廠等夥伴合作,進行NeoFlash技術開發,已可於0.25微米與0.18微米CMOS邏輯製程及高壓製程上提供量產,並將於今年度內提供0.13um、0.11um與90nm等NeoFlash平台。

此外,力旺今年度也推出了全新的NeoEE技術,適用於中低容量多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術需求,如一般系統參數調整、LCD螢幕參數設定、Vcom 校正IC、CMOS 影像感應IC多次調校需要等。由於NeoEE技術可與邏輯製程相容,毋須外加任何光罩,對於容量需求在16Kb以下,高寫入次數等應用,可享其製程簡單、以及成本面等高度優勢。

目前力旺電子的NeoEE技術採用0.18微米製程,已與歐洲系統晶片大廠合作,技術規格可達到10,000次寫入。該公司計劃與晶圓代工夥伴合作,於2010年下半年完成0.18微米及0.25微米的IP可靠度驗證,並積極與相關客戶展開進一步的合作。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 力旺提供完整多次可程式嵌入式非揮發性...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首