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飛思卡爾針對TD-SCDMA網路提升RF功率產品線

上網時間: 2010年05月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:TD-SCDMA  MRF8P20160HR3  MRF8P20100HR3 

飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)發佈兩款LDMOS射頻功率電晶體──MRF8P20160HR3與MRF8P20100HR3元件,均針對基地台所需的功率放大器進行最佳化設計,適用於在中國國內應用廣泛的TD-SCDMA的無線網路。新元件是飛思卡爾LDMOS功率電晶體產品線的最新成員,專為TD-SCDMA網路應用而設計。

TD-SCDMA是第三代的無線標準,由中國研發,並得中國國內最大的無線供應商使用。根據TD-SCDMA論壇(TD-SCDMA Forum),接近770萬用戶(大約為國內45%的3G用戶)接受TD-SCDMA網路的服務。

新式的MRF8P20160HR3電晶體與MRF8P20100HR3元件,均使用飛思卡爾最新的高電壓第八代(HV8) LDMOS技術製造,能夠提供最高等級的效能。這兩種元件都具備寬頻帶,因此它們在兩個TD-SCDMA運作所需頻帶(1880到1920MHz、以及2010到2025MHz)都可以提供應有的額定效能,因此僅需單一元件就能供給兩個頻帶使用。

TD-SCDMA基地台的放大器都使用Doherty架構,該架構包含兩組放大器,能夠容納所有作業條件。這種架構通常需要在載波及功率放大器的最末級尖峰路徑之間使用分離的射頻功率電晶體。但是飛思卡爾的LDMOS電晶體本身即採用「雙路徑」設計,亦即實作Doherty最末級放大器所需的兩個放大器,都已整合至單一封裝內。如此一來就能夠將所需的元件數減半。這些優點再加上高增益、效率及低功率損耗,使得TD-SCDMA放大器僅需較低的製造成本,而且元件數目與複雜度也較低。

MRF8P20160HR3元件具備平均37瓦的射頻輸出功率(增益壓縮3分貝時為160瓦)、45.8分貝的汲取效率、16.5分貝的增益;輸入訊號的巔峰與平均值比例為9.9分貝時,量得的ACPR (+/-5MHz偏移時有3.84MHz的通道頻寬)為-30.6分貝。

MRF8P20100HR3元件具備平均20瓦的射頻輸出功率(3分貝增益壓縮時為126瓦)、44.3分貝的汲取效率、16分貝的增益;輸入訊號的巔峰與平均值比例為9.9分貝時,量得的ACPR (+/-5MHz偏移時有3.84MHz的通道頻寬)為-33.5分貝。

兩種元件都可在26至32伏特的電源下運作,在直流電壓32伏特時,其持續電壓波形比為10:1,此種設計適於用在數位預失真錯誤修正線路。它們會在內部經過比對、放在氣腔陶瓷封裝內,並以帶狀或卷軸方式供應。元件同時內建防靜電(ESD)功能,可預防從組裝線上釋放的靜電。ESD防護亦有助於擴大閘電壓擺盪範圍(從-6到+10伏特),進而改善以高效益模式(如Class C)運作時的效能。

新元件將加入飛思卡爾現有的TD-SCDMA專用LDMOS射頻功率放大器產品線,如MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多階段整合式功率放大器IC等等,它們各自可以在TD-SCDMA頻帶上提供平均10瓦的功率。MRF8P20160HR3與MRF8P20100HR3均已全面量產。參考設計及其它的支援工具亦已可供設計師使用。





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