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TI NexFET Power Block實現高效率與功率密度

上網時間: 2010年06月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NexFET  MOSFET  CSD86350Q5D  POL  Power Block 

德州儀器(TI)宣佈推出一款可在 25A 電流下實現超過 90% 高效率的 MOSFET ,體積為同類競爭功率 MOSFET 的 50%。採用單一封裝中堆疊兩個 NexFET MOSFET晶片的高效能同步裝置,可作為支援高電流、多相位 POL 的理想應用。

TI 全新 CSD86350Q5D Power Block 透過先進的封裝技術將 2 個非對稱的 NexFET 功率 MOSFET 整合,為伺服器、桌上型電腦與筆記型電腦、基地台、交換器、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高效能。

NexFET Power Block 除提高效率與功率密度外,還能以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流,可有效降低解決方案尺寸與成本。最佳化的接腳佈局 (pinout) 與接地導線架 (grounded lead frame) 可明顯縮短開發時間,改善整體電路效能。此外,NexFET Power Block 還能以低成本實現與 GaN 等其他半導體技術相當的效能。

CSD86350Q5D Power Block 的主要特性與優勢:5 mm x 6 mm SON 尺寸僅為兩個 5 mm x 6 mm QFN 封裝的獨立式 MOSFET 裝置的 50%;可在 25 A 的負載電流下,達到超過 90% 的電源效率,與業界相同規格的 MOSFET 相較,效率高出 2%,功率損耗降低 20 %;與相同規格的解決方案相較,無須增加功率損耗便可提高 2 倍頻率;底部採用裸露接地焊墊的 SON 封裝可簡化佈局。

TI NexFET 功率 MOSFET 技術 DC-DC 控制器包括TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218,可為高功率運算、網路、伺服器系統以及供電降低能耗。這些高頻率高效率類比功率 MOSFET 可為系統設計人員實現最先進的 DC/DC 功率轉換解決方案。

採用 5 mm x 6 mm SON 封裝的 NexFET Power Block 裝置現已開始大量供貨,可向 TI 及授權經銷商訂購。樣品與評估模組也已開始供應。





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