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相變化記憶體將改變記憶體系統設計

上網時間: 2010年06月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:相變化  記憶體  PCM  揮發性  系統 

相變化記憶體(Phase Change Memory, PCM),是一項全新的記憶體技術,目前有多家公司在從事該技術的研發活動。這項技術取今日揮發性記憶體和非揮發性記憶體兩大技術之長,為系統工程師提供極具吸引力的技術特性和功能。工程師無需再費時解決過去幾年必須設法克服所謂記憶體技術的古怪特性。因此,當用 NORNAND 快閃記憶體設計系統時,工程師必須掌握許多變通技巧。

由於相變化記憶體簡單易用,設計人員可以把以前的奇怪東西全部忘掉。相變化記憶體還有助於大幅縮短產品上市時間,提高系統效能和編碼容量,降低產品成本。應用設計通常需要 RAM記憶體晶片以補償快閃記憶體的慢速且錯綜複雜的程式設計協定。在改用相變化記憶體後,還能降低許多設計對 RAM 晶片的容量要求,甚至根本不再需要 RAM 晶片。因此設計人員已經發現在許多設計狀況中把現有設計的快閃記憶體改由相變化記憶體取代的確是非常值得一試的。

請下載PDF文件,以閱讀完整文章。

作者:Jim handy / Objective Analysis分析師





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