英飛凌針對汽車應用推出低導通電阻的30V MOSFET

OptiMOS-T2 產品以英飛凌強大的第二代功率 MOSFET 溝槽(trench)技術為基礎，非常適用於高電流汽車馬達驅動應用、電子動力轉向(EPS)，尤其是啟動/停止功能。IPB180N03S4L-H0 採用 D2PAK-7 封裝，以最少的成本同時提供高額定電流及最低導通電阻，滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET 的需求。

相較於從前的技術，採用 MOSFET 溝槽技術(例如 OptiMOS-T2)在導通電阻和閘電荷兩方面皆有顯著的改善，進而產生業界最低的優值係數(FoM)。此外，英飛凌創新的高電流「Powerbond」技術突破了 MOSFET 的銲線(wirebond)限制，可減少銲線的導通電阻壓降並提升電流能力。藉由維持更加冷卻的銲線，進而提升產品的可靠度。最新的 Powerbond 技術能夠於單一 MOSFET 中進行高達四個雙針腳 500um 銲線，以及在標準封裝中使用 180A 額定電流。

OptiMOS-T2 技術及堅固耐用的封裝設計可於 MSL1(Moisture Level 1)時的迴銲期間承受 260℃ 的高溫，並支援符合 RoHS 標準的無鉛電鍍。 IPB180N03S4L-H0 MOSFET 完全符合汽車電子協會(AEC-Q101)規格。 英飛凌的先進溝槽技術提供低閘電荷、低電容器、低切換耗損以及絕佳的 FoM，將電動馬達的效率提升至新的高峰，同時將電磁幅射量(EMC)降至最低。 此外，經過最佳化的閘電荷還可支援更小的驅動器輸出階段。

IPB180N03S4L-H0支援需要多個並聯 MOSFET 進行運作的高電流應用(500A 以上)。 由於 IPB180N03S4L-H0 提供 180A 額定電流，因此可為高電流系統減少一個所需的並聯 MOSFET，以最佳化電流分享、溫度特性及成本。 隨著汽車電動馬達改為以脈衝寬度調變(PWM)控制來提升效率，OptiMOS-T2 30V 產品也可透過反向連接來提供電池保護。

30V IPB180N03S4L-H0 具備 180A 汲極電流且導通電阻值僅 0.9mΩ，目前已開始量產。此外，英飛凌還針對極具成本考量之應用，推出另款具備 30V/180A (IPB180N03S4L-01) 且在10V時，導通電阻值僅 1.05mΩ的產品。