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新研發CFD技術鎖定32奈米以下前段製程應用

上網時間: 2010年09月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:32奈米  CFD  前段製程  Novellus  諾發 

諾發系統(Novellus)宣佈已經開發 conformal film deposition (CFD)技術,可在高寬比4:1的結構上有100%的階梯覆蓋能力。這項創新的 CFD 技術可以提供 32奈米以下在前段製程的需求,例如 gate liners、spacers、shallow trench 隔絕的高介電金屬閘極 (HKMG) liners和用在雙曝光技術的spacers。諾發的CFD氧化物薄膜擁有和爐管熱反應的氧化薄膜相同的品質和成分,包含低漏電、高崩潰電壓和很低的濕蝕刻率。

32奈米製程以下的電晶體尺寸變異量極為重要,並且會影響元件表現,新的高conformal spacer薄膜已經被開發出來可以控制這些晶片上的臨界尺寸(critical dimensions)。當整合方法和先進製程控制技術可以將晶片之間、批貨之間的變異量降到最小,在晶片上的變異量就可以用spacer薄膜控制。然後更進一步,這些用在spacer薄膜的介電層必須在夠低的溫度下沉積,以降低雜質擴散。

諾發已經開發出CFD技術可沉積高品質的conformal 薄膜,可應用在前段製程並且符合32奈米以下品質以及低溫的需求。電流-電壓圖顯示出CFD薄膜具有很高的崩潰電壓特性,更進一步的分析指出薄膜品質在側邊等同於大塊區域。和一些用原子層沉積製程的競爭者比較,結合諾發的CFD技術和VECTOR多平台順序沉積方式(MSSD)可以提供優異的晶片上和晶片之間的一致性,並且擁有顯著的高產率和很低的化學品用量。

因為Extreme UV (EUV) 曝光技術的延遲,半導體工業轉向以spacer技術為主的雙曝光技術用在3X奈米和2X奈米以下的邏輯元件。最成本節省的雙曝光技術利用光阻當核心,再沉積百分之百階梯覆蓋的spacer薄膜。這種spacer薄膜必須使用溫度和化學方式沉積並且相容於光阻材料。應用在雙曝光技術的Spacer薄膜必須展現出極佳的conformality,並且沒有會造成線彎曲的loading 效應,因此才能提供出色之晶片上曝光的均勻性。

諾發PECVD事業部資深副總Kevin Jennings說:「CFD技術提供了低溫沉積介電薄膜並具有和爐管相同品質的突破。當元件縮小到32奈米以下,許多應用會需要CFD技術沉積的薄膜,可靠的、已經被量產證實的VECTOR 平台,有此能力可以確保極佳的晶片上和晶片間的製程穩定性,並有極高之產率以及低的化學品成本。」





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