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功率技術/新能源  

瑞薩超小型功率半導體提供高密度DC/DC轉換器

上網時間: 2010年10月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:RJK0222DNS  RJK0223DNS  功率半導體  MOSFET  DC/DC 

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子公司(Renesas)發表 RJK0222DNSRJK0223DNS 的開發作業,這兩款功率半導體採用超小型封裝,可使用於 DC/DC 轉換器、為伺服器及筆記型電腦等產品供電的 CPU 、記憶體及其他電路區塊。

因應基地台、筆記型電腦、伺服器及繪圖卡等資訊及通訊裝置對於體積更小、更薄、效率更高的DC/DC轉換器需求,瑞薩電子開發出兩款全新功率半導體產品,將一對用於轉換電壓的功率 MOSFET 整合至超小型單一封裝中(封裝程式碼 HWSON3046),以供設計尺寸更小、安裝密度更高的 DC/DC 轉換器。

這兩款尺寸小、損耗低的第11代功率 MOSFET 採用先進製程以及尺寸僅3.2mm×4.8mm×0.8mm (最大處)的超小型封裝,使該新元件的封裝尺寸較瑞薩電子現有的功率 MOSFET 產品(採用5.1mm × 6.1mm的WPAK封裝)更減少二分之一,因而可供設計尺寸更小、密度更高的電源供應器。

此外,在切換頻率為300千赫茲(kHz)時,瑞薩電子第11代低損耗、高散熱的功率MOSFET可達到95.2%的最高效能(輸入電壓:12伏特(V)、輸出電壓:3.3V),耗電量大幅降低,有助於提升電源供應器的整體效率。

用於轉換電壓的一對功率 MOSFET 中,用於同步整流(低邊)的 MOSFET 整合了晶片內建之蕭特基二極體。在 DC/DC 轉換器的停滯時間(dead time),從功率 MOSFET 至蕭特基阻障二極體的電流切換越快,愈能降低功率損耗。另外,功率 MOSFET 切換為開啟狀態時能夠有效抑制電壓突增(voltage spike),因此可降低電磁雜訊。

新款 HWSON3046 封裝如同瑞薩電子現有 WPAK 封裝,具有優異的散熱性能,裝置底部還設有晶片銲盤(die pad),功率 MOSFET 運作時可將熱傳導至印刷電路板,使其能夠處理大電流。

瑞薩電子計劃將採用 HWSON3046 封裝開發完整的雙晶片產品線,可支援各種 DC/DC 轉換器規格。新款功率MOSFET目前已可供應樣品,預計於2010年 12月起大量生產,2011年7月之後達到每月總生產量兩百萬個。





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