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飛思卡爾射頻LDMOS功率電晶體簡化MCPA應用

上網時間: 2010年10月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:LDMOS  功率電晶體  MRF8S18260H/S  MRF8P18265H/S  MRF8S19260H/S 

飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)推出三款新型射頻 LDMOS 功率電晶體 MRF8S18260H/S 、 MRF8P18265H/S 與 MRF8S19260H/S ,是飛思卡爾射頻功率放大器第八代高電壓版本(HV8)的最新產品;在1800與1900 MHz頻帶上提供最高的輸出層級,適合於供無線基地台收發器中的 Doherty 型多重載波功率放大器(MCPA)使用。

飛思卡爾第八代 LDMOS 元件的設計目的在於透過 DPD 技術,減低 AM / AM 與 AM / PM 在失真、巔峰效率、寬頻運作、可靠度與 Doherty 應用方面的問題。 HV8 元件在 Doherty 應用上的效率通常比飛思卡爾舊版 LDMOS 元件高出4到6個百分點。這些元件已經在非對稱式 Doherty 放大器上展現出五成以上的寬頻效率提升,但仍維持相當優越的線性特質。對於無線服務供應商來說,這種成果將可有效減少基地台的散熱需求及運作成本,同時還可有效縮小放大器的線路規模。

MCPA 讓無線服務供應商可以提升現有基地台的覆蓋範圍及容量,而毋須像以往一般,針對每一個載波設置專屬放大器。 MCPA 技術讓單一放大器能夠處理多個載波段,進而縮小產品所需的線路面積及元件數目。此外, Doherty 組態也可以讓功率放大器的能源效率更佳,亦即降低基地台每年的運作成本。

新產品尤其適合 Doherty 放大器架構的獨特需求,在這種架構下,載波放大器會以 Class AB 模式運作,再配合以高效率 Class C 模式運作的峰值放大器。其特性讓這項組合非常適於數位預償(digital predistortion,DPD)線路,可保持高階調變時所需的高度線性特質。

內部電晶體已經經過排列,以便簡化組裝,並可在直流電壓32伏特下產生出10:1 VSWR 的額定功率。封裝方式則採用飛思卡爾的 NI1230 陶磁空氣腔封裝,並整合了靜電放電(electrostatic discharge,ESD)防護功能,讓它更能抵抗組裝時的偶發電壓,而其寬廣的閘電壓(從-6到+10伏特)則讓Class C模式的運作效能更為提升。

MRF8S18260H/S特性:1805至1880 MHz、P1dB功率達260瓦CW、平均輸出功率74瓦時的Class AB汲級效率可達百分之31.6,增益為17.9 dB。MRF8S19260H/S特性:1930至1990 MHz、P1dB功率達245瓦CW、平均輸出功率74瓦時的Class AB汲級效率可達百分之34.5,增益18.2 dB。MRF8P18265H/S特性:1805至1880 MHz、巔峰(P3dB)功率280瓦、平均輸出功率72瓦時的Doherty汲極效率可達百分之43.7,Doherty增益16dB。

MRF8P18265H/S 為雙重路徑元件,將用以執行 Doherty 最終級放大器的載波及峰值放大器,整合至單一封裝中。MRF8S18260H/S 、 MRF8P18265H/S 及 MRF8S19260H/S 目前均已量產。參考設計及其它支援工具亦已齊備。





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